国产电子元器件产业迎来风口，机遇与挑战在哪里？

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元器业迎挑（a）Cu2Te纳米片的合成路线。通过理论计算阐明其CO2RR的路径（图5a-d），产机遇验证了Cu2Te纳米片的边缘晶面结构更易于甲烷的生成，与实验结论一致（图4a）。

（a、国产b）CuO纳米片和二维Cu2Te纳米片的SEM图像。随着电位升高，元器业迎挑生成CH4的FEs呈先增加后衰减的趋势。因此，产机遇上述理论和所有实验结果清晰地表明，产机遇边缘取向的Cu2Te纳米片阵列能够暴露更多的活性位点，在较低的能量势垒下实现CO2到CH4的转化，从而实现高活性和选择性。

上述比较结果表明，国产边缘取向Cu2Te纳米片阵列的构建可以显著提高CO2转化为CH4的选择性和过电势。元器业迎挑（e）Cu2Te纳米片催化剂的原位ATR-SETRAS谱监测。

产机遇（g）Cu2Te（100）晶面的原子分辨图像。

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（c）BC、元器业迎挑BC/CNT、BC/CNT/PPy纤维、PPy和CNT的XRD图案。图二、产机遇BC基导电纤维的SEM图像©2022TheAuthor（a-c）BC、BC/CNT、BC/CNT/PPy纤维线的表面SEM图。